全球IC器件通路商,合赢未来新方向——威尔健半导体,携手你我共创非凡 欢迎联系我们,无最低订购数量、最快当天发货。 快速询价热线:0755-83159789
SP000870646相关型号
  • IR2114SSPBF

    门驱动器 600V HALF BRDG DRVR IC

  • ISO1H816G

    门驱动器 DRIVER IC'S

  • IR2110STRPBF

    门驱动器 Hi&Lw Sd Drvr All HiVlt Pins 1 Sd

  • IR2133SPbF

    门驱动器 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS

  • ISO1I811TXUMA1

    数字隔离器 Isolated 8Ch Digital Input Power Driver

  • ITS4141N

    电源开关 IC - 配电 SMART HI SIDE PWR SWITCH INDUSTRY APP

  • ITS4142N

    电源开关 IC - 配电 SMART HI SIDE SWITCH INDUSTRIAL APPS

  • IRS2334MTRPBF

    门驱动器 Gen5 HVIC 600V 3 Phase Gt Drvr

Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • SP000870646

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,SP000870646的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *姓名:
  • *电话:
  • Q Q:
  • *邮箱:

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PG-SOT-23-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:100 V
  • Id-连续漏极电流:190 mA
  • Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:0.6 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 资格:AEC-Q101
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 长度:2.9 mm
  • 系列:BSS123
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:1.3 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:410 mS
  • 下降时间:22 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:3.2 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:7.4 ns
  • 典型接通延迟时间:2.3 ns
  • 零件号别名:BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646
  • 单位重量:8 mg

其它信息

一级代理商,大小批量出货,欢迎来询

为客户谋品质,为企业谋发展,只为一个好产品——威尔健半导体,英飞凌Infineon优势货源:随时现货+极具竞争力的价格