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IFF600B12ME4S8PB11BOSA1相关型号
Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IFF600B12ME4S8PB11BOSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 模块 Description:
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IFF600B12ME4S8PB11BOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 模块
  • RoHS:是
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.75 V
  • 在25 C的连续集电极电流:600 A
  • 栅极—射极漏泄电流:400 nA
  • Pd-功率耗散:20 mW
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装:Tray
  • 商标:Infineon Technologies
  • 安装风格:Screw Mount
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 产品类型:IGBT Modules
  • 工厂包装数量:6
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:IFF600B12ME4S8P_B11

其它信息

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