全球IC器件通路商，合赢未来新方向——威尔健半导体，携手你我共创非凡 欢迎联系我们，无最低订购数量、最快当天发货。 快速询价热线：0755-83159789

当前位置:  Infineon(英飞凌)  >>  Infineon相关型号  >>  IRFSL7540PBF详细信息

IRFSL7540PBF相关型号

  • BCR35PNH6327XTSA1

    双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BCX6816H6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS

  • BSP61H6327XTSA1

    达林顿晶体管 AF TRANSISTORS

  • BC 817SU E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA

  • BCX 42 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR

  • BCV 62B E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A

  • BCV 62B E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Double TRANSISTOR

  • BCV 61B E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Double TRANSISTOR

Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRFSL7540PBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IRFSL7540PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-262-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:110 A
  • Rds On-漏源导通电阻:5.1 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:130 nC
  • Pd-功率耗散:160 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:StrongIRFET
  • 封装:Tube
  • 高度:9.45 mm
  • 长度:10.2 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.5 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:110 S
  • 下降时间:56 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:76 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:58 ns
  • 典型接通延迟时间:12 ns
  • 零件号别名:SP001557648
  • 单位重量:2.084 g

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

为客户谋品质，为企业谋发展，只为一个好产品——威尔健半导体，英飞凌Infineon优势货源：随时现货+极具竞争力的价格

深圳市威尔健半导体有限公司

半导体权威，卓尔不群，建立合作，就在威尔健。国内知名从事Infineon(英飞凌)产品的销售，大小批量出货。

7X24小时询价热线

0755-83159789