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IPD053N08N3GATMA1相关型号
Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPD053N08N3GATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET MV POWER MOS
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPD053N08N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:80 V
  • Id-连续漏极电流:90 A
  • Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:52 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:150 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:2.3 mm
  • 长度:6.5 mm
  • 系列:OptiMOS 3
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:6.22 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:56 S
  • 下降时间:10 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:66 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:38 ns
  • 典型接通延迟时间:18 ns
  • 零件号别名:G IPD053N08N3 SP001127818
  • 单位重量:4 g

其它信息

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