全球IC器件通路商，合赢未来新方向——威尔健半导体，携手你我共创非凡 欢迎联系我们，无最低订购数量、最快当天发货。 快速询价热线：0755-83159789

当前位置:  Infineon(英飞凌)  >>  Infineon相关型号  >>  FF300R17KE4详细信息

FF300R17KE4相关型号

  • BC 817U E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY

  • BSM10GP60

    IGBT 模块 600V 10A PIM

  • BCV 62C E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30 V 100 mA

  • BCR133E6327HTSA1

    双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA

  • BCR523E6327HTSA1

    双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR

  • BCR 183 E6327

    双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR

  • BC847PNH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • BCR 562 E6327

    双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR

Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FF300R17KE4

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 模块 IGBT Module 300A 1700V
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，FF300R17KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 模块
  • RoHS:是
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.45 V
  • 在25 C的连续集电极电流:440 A
  • 栅极—射极漏泄电流:100 nA
  • Pd-功率耗散:1800 W
  • 封装 / 箱体:62 mm
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装:Tray
  • 商标:Infineon Technologies
  • 安装风格:Chassis Mount
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 产品类型:IGBT Modules
  • 工厂包装数量:10
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:FF300R17KE4HOSA1 SP000713528

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

为客户谋品质，为企业谋发展，只为一个好产品——威尔健半导体，英飞凌Infineon优势货源：随时现货+极具竞争力的价格

深圳市威尔健半导体有限公司

半导体权威，卓尔不群，建立合作，就在威尔健。国内知名从事Infineon(英飞凌)产品的销售，大小批量出货。

7X24小时询价热线

0755-83159789