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FP75R12KT3相关型号

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Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FP75R12KT3

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 105A
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，FP75R12KT3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 模块
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.15 V
  • 在25 C的连续集电极电流:105 A
  • 栅极—射极漏泄电流:400 nA
  • Pd-功率耗散:355 W
  • 封装 / 箱体:Econo 3
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 封装:Tray
  • 高度:17 mm
  • 长度:122 mm
  • 宽度:62 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 安装风格:Chassis Mount
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 产品类型:IGBT Modules
  • 工厂包装数量:10
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:FP75R12KT3BOSA1 SP000100443
  • 单位重量:300 g

其它信息

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