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BSS806NE H6327相关型号
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Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • BSS806NE H6327

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-23-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:20 V
  • Id-连续漏极电流:2.3 A
  • Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV
  • Vgs - 栅极-源极电压:8 V
  • Qg-栅极电荷:1.7 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 长度:2.9 mm
  • 系列:BSS806
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:1.3 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:9 S
  • 下降时间:3.7 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:9.9 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:12 ns
  • 典型接通延迟时间:7.5 ns
  • 零件号别名:BSS806NEH6327XTSA1 SP000999336
  • 单位重量:8 mg

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