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BFR740L3RHE6327XTSA1相关型号
Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BFR740L3RHE6327XTSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，BFR740L3RHE6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:射频(RF)双极晶体管
  • RoHS:是
  • 系列:BFR740L3
  • 晶体管类型:Bipolar
  • 技术:SiGe
  • 晶体管极性:NPN
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:160
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V
  • 集电极连续电流:40 mA
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TSLP-3
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 工作频率:40 GHz
  • 商标:Infineon Technologies
  • Pd-功率耗散:160 mW
  • 产品类型:RF Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:15000
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:740L3RH BFR BFR74L3RHE6327XT E6327 SP000252393
  • 单位重量:0.500 mg

其它信息

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