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BSC0910NDIATMA1相关型号
Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BSC0910NDIATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET LV POWER MOS
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TISON-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:25 V
  • Id-连续漏极电流:40 A
  • Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms, 900 uOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:6.6 nC, 30.6 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:2.5 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.27 mm
  • 长度:5.9 mm
  • 晶体管类型:2 N-Channel
  • 宽度:5.15 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:42 S, 85 S
  • 下降时间:2.4 ns, 4.1 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:3.6 ns, 5.6 ns
  • 工厂包装数量:5000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:13 ns, 28 ns
  • 典型接通延迟时间:2.4 ns, 5.6 ns
  • 零件号别名:BSC0910NDI SP000998052

其它信息

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